產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準,并參考美國 ASTM 標準而設計的，專用于測試半導體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專用儀器。
儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結果。
詳情介紹：
測量半導電電阻率時： 電阻率10-4--105Ω-cm；分辯率10-6Ω-cm
測量其他（電線電纜）電阻時： 電阻10-4--2X105Ω，分辨率1uΩ
二、 數(shù)字電壓表：
1． 量程 2 mV、20 mV、200 mV、2V
2． 測量誤差 2mA檔±(0.5%讀數(shù)+8字)；20mV—2V擋±(0.5%讀數(shù)+2字)
3． 顯示4 1/2 位數(shù)字顯示0—19999具有極性和過載自動顯示，小數(shù)點、單位自動顯示。
三、 恒流源：
1． 電流輸出：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA．
2. 電流誤差：±(0.5%讀數(shù)+2字)
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